O Governo do Estado, por meio da Secretaria de Ciência, Inovação e Desenvolvimento Tecnológico, inaugurou nesta segunda-feira (4) o Parque Científico e Tecnológico UPF Planalto Médio, em Passo Fundo. O projeto é uma parceria do governo com a Universidade de Passo Fundo (UPF) e prefeitura do município. É o primeiro parque consolidado que vai operar fora do eixo da grande Porto Alegre. O primeiro módulo construído tem um total de 651,15 metros quadrados de área, está instalado no campus da UPF e abrigará setores administrativos e a empresa-âncora do empreendimento, a MV, que trabalha com sistemas de gestão em saúde.
A obra foi executada com recursos do Edital nº 01/2011, totalizando R$ 1,2 milhão investidos, dos quais R$ 924 milhões provenientes da Secretaria da Ciência, Inovação e Desenvolvimento Tecnológico e R$ 316 mil como contrapartida da Fundação Universidade de Passo Fundo (FUPF).
No local, foi assinado o termo de compromisso para a execução do terceiro módulo do projeto. O segundo está com a construção avançada e deverá ser concluído até julho de 2014. Os espaços serão destinados para incubação, Núcleo de Inovação e de Transferência de Tecnologia, para a empresa-âncora na área de TI e para a área administrativa do empreendimento. O parque inicia as operações tendo a empresa MV (líder brasileira de software para gestão hospitalar) como âncora e outras quatro empresas de base tecnológica do PoloSul.org. Também já está iniciada a construção do segundo módulo do UPF Parque, com área de 1.623,54 m², também em parceria entre a Scit e a Prefeitura Municipal de Passo Fundo. Nesta nova fase do projeto, denominado Central Multiuso de Equipamentos e Centro Tecnológico e Incubadora para Agricultura de Precisão, ficarão abrigadas empresas e projetos relacionados à agricultura.
Os recursos oriundos do Edital nº 02/2012 da Scit, Convênio 35/2012, contam com um investimento de R$ 2,7 milhões, sendo R$ 1,8 milhão da Scit e R$ 905 milhões da Fundação UPF. Também foi assinado o convênio para a terceira fase do parque, o módulo III.